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    與雙極設備形成對比的是，MOSFET 開(kāi)關(guān)屬于壓控設備。對于MOSFET來(lái)說(shuō)，其開(kāi)關(guān)導通/截止狀態(tài)的控制所采用的門(mén)極控制電壓類(lèi)似于某些雙極晶體管的基極電流控制。實(shí)際上，為了獲得高速的MOSFET導通/截止，經(jīng)常采用具有較強正/反向電流驅動(dòng)能力的驅動(dòng)器。為了實(shí)現此目的，本節提出了幾個(gè)電路以供參考，但是沒(méi)有對它們進(jìn)行深入分析。

    對于一個(gè)N溝道的MOSFET來(lái)說(shuō)，給出了其最簡(jiǎn)單的驅動(dòng)器形式。上側的雙極晶體管負責導通，下側的雙  Vn極晶體管負責截止。通過(guò)引入一個(gè)電容創(chuàng )建電容耦合驅動(dòng)器。此改進(jìn)方案提供了一個(gè)更大的正向上涌電流，導通時(shí)，給內置的門(mén)源電容充電。很止時(shí)，耦合電容和下端的驅動(dòng)器為MOSFET的門(mén)極提供個(gè)短時(shí)間的負電壓，

   電容概合型N溝道MOSFET重動(dòng)器  MOSFET更動(dòng)器的修改可以通過(guò)引入一個(gè)二極管來(lái)實(shí)現對門(mén)極驅動(dòng)電壓做出更多的調整，可以給出兩個(gè)不同的導通/截止驅動(dòng)時(shí)間常數?？梢砸雮€(gè)變壓 器實(shí)現浮動(dòng)驅動(dòng)，通過(guò)變壓器的耦合，也可以實(shí)現隔離功能。毫無(wú)疑問(wèn)，這系列的改進(jìn)方法顯示了此類(lèi)分析方法的強大與魅力。

   開(kāi)/關(guān)觀(guān)服家動(dòng)器也就實(shí)現了中陶道MOSET的導通做止。對用于動(dòng)事開(kāi)關(guān)的P內通MOSFET,建立其配簡(jiǎn)單的驅動(dòng)器電路、如果老門(mén)一面內相間周12160防樓 個(gè)電容，可以實(shí)觀(guān)浪通抑制功能，在導通階段，電容電壓的最時(shí)特性使得P內道設備銀值在程室品圍變化時(shí)，能動(dòng)器網(wǎng)絡(luò )可能不會(huì )對能入電壓產(chǎn)生個(gè)可變電阻。當輸入電壓響應。

一個(gè)齊納二極管和電阻的組合使得輸入變化不再相干，從而該驅動(dòng)器克服了低輸入電壓的問(wèn)題。此外，也直接連接的二極管也提升了電路的開(kāi)關(guān)速度。