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異常電壓保護

通常有必要討論下開(kāi)關(guān)時(shí)發(fā)生異常電壓的對策。異常電壓會(huì )在具有雜散電感的線(xiàn)路電流截止時(shí)發(fā)生，功率開(kāi)關(guān)電路設計的出發(fā)點(diǎn)是通過(guò)各種各樣的方法和努力使得線(xiàn)路的雜散電感最小化。但是，無(wú)法使雜散電感降到零，因此根據需要，就得采用緩沖電路來(lái)促進(jìn)異常電壓的吸收。

異常電流保護

IPM的出現對于ICBT來(lái)說(shuō)，異常電流已不是多大的問(wèn)題，但對晶閘管系列的裝置等面言、異常電流現在依然是重要問(wèn)題。由于晶閘管沒(méi)有電流阻斷能力，所以只有基于熔斷器的保護方法。但因為熔斷器的性能不高，所以說(shuō)它是保護罷件還不如以它作為預防故障對策的意義更大些。

像GTO那樣具有自我阻斷能力的器件，也有可能利用門(mén)極驅動(dòng)來(lái)高速阻斷面實(shí)現保護，該情況下需要有故障電流快速檢測等外圍技術(shù)的支持。

此外，對于品閘管那樣在大面積半導體基板上形成單器件的場(chǎng)合，由于門(mén)板電流的注人面使其導通時(shí)，導通區城從門(mén)極電極附近逐漸擴大、

如果在開(kāi)始后立剩有過(guò)大的負裁電流流通，則該電酒會(huì )在導通區城集中流動(dòng)，從而導致開(kāi)關(guān)菜件損壞。對于這樣的場(chǎng)合，必須與品閘管申聯(lián)接人陽(yáng)極電抗器(andereactor)來(lái)抑制電流的上升速率divd.